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D2S提出“22nm以后OPC图案应以圆形光束绘制”的方案

八戒F网  2020-10-15 13:34:02
美国D2S公司“SPIE Advanced Lithography 2010”上公布了能以低于原来的成本制作22nm工艺以后LSI制造使用的曝光掩模的方法。因使用圆形电子束绘制含有大量曲线的OPC(辅助)图案,可以降低绘制掩模图案所需要的镜头(Shot)数量。此次,作为该方法所需要的EDA工具,开发出了OPC图案的圆形光束镜头分解(Flucturing)软件。目前,该公司正与从事掩模绘制用EB曝光装置业务的日本电子(JEOL)共同验证该工具的实用性。在内存和逻辑LSI的制造中,“专门用于延长现有ArF曝光寿命,从而成为尽早使22nm工艺量产化的方法”(D2S董事长兼首席执行官Aki Fujimura)。 为了提高曝光精度,22nm工艺以后OPC图案多采用曲线而非直线。例如,在基于向晶圆转印图案逆运算掩模图案以提高精度的逆向光刻(Inverse Lithography)中,带有曲线的OPC图案比原来增加了许多(图1)。这种情况下,现有以矩形电子束绘制图案为前提的掩模制造法,难以高精度绘制OPC图案,图案绘制需要的镜头数也会增加,从而使绘制时间变得极为漫长。 此次D2S提出的方法是,以圆形电子束而非矩形电子束来绘制含有很多曲线的OPC图案。圆形光束与矩形光束相比更易于操纵,因此可以高精度地绘制出含有曲线的OPC图案。如果使镜头间圆形光束的照射范围重叠(Overwrap),还可以控制镜头数量。例如,设想采用矩形光束绘制需要40个镜头的飞镖(Boomerang)状图案,如果用重叠圆形光束绘制只需13个镜头即可,而且还可以提高曲线的再现精度(图2)。 D2S正与JEOL共同推进该EDA工具的实用性验证。即将该工具导入JEOL的掩模绘制用EB曝光装置,在验证镜头数量的削减效果和绘制精度等。该成果将在2010年4月13~15日举行的“Photomask Japan 2010”上发布。 作为与D2S共同推进该方法验证的合作企业,JEOL与其他五家公司一同参与了由D2S负责组织的“eBeam Initiative”。JEOL以外的其他五家公司分别是美国GLOBALFOUNDRIES、美国KLA-Tencor、NuFlare Technology、美国Petersen Advanced Lithography以及韩国三星电子(Samsung Electronics)。(记者:大下 淳一)
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